IXTQ 80N28T
120
100
80
Fig. 7. Input Adm ittance
100
90
80
70
Fig. 8. Transconductance
60
T J = -40 o C
60
50
25 o C
40
20
T J = 125 o C
25 o C
-40 o C
40
30
20
125 o C
10
0
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
200
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
180
160
140
120
100
9
8
7
6
5
V DS = 140V
I D = 40A
I G = 10mA
80
60
40
20
0
T J = 125 o C
T J = 25 o C
4
3
2
1
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
20
40
60
80
100
120
10000
1000
100
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
C iss
C oss
1000
100
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
T J = 150oC
T C = 25oC
R DS(on) Limit
25μs
100μs
10
f = 1MHz
C rss
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V D S - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V D S - Volts
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